Question

Na złączu p-n w diodzie krzemowej szerokość warstwy zaporowej jest równa 0,4µm.Bariera potencjału na złączu w temperaturze pokojowej jest równa 0,2V,a przy wzroście temperatury zmniejsza się o około 2,2 mV/K.Oblicz wartość natężenia pola elektrostatycznego w warstwie zaporowej w temperaturze pokojowej oraz w temperaturze o 50K wyższej.Z góry dziękuję za rozwiązanie:) Daję naj;)

Answer 1

Czy to jest z ćwiczeń ? Jeżeli tak to jakich bo ja mam coś podobnego zrobione