Proszę o tłumaczenie na polski:
Solarzellen bestehen aus verschiedenen Halbleitermaterialien. Halbleiter sind Stoffe, die unter Zufuhr von Licht oder Wärme elektrisch leitfähig werden, während sie bei tiefen Temperaturen isolierend wirken.
Über 95 % aller auf der Welt produzierten Solarzellen bestehen aus dem Halbleitermaterial Silizium (Si). Silizium bietet den Vorteil, daß es als zweithäufigstes Element der Erdrinde in ausreichenden Mengen vorhanden und die Verarbeitung des Materials umweltverträglich ist.
Zur Herstellung einer Solarzelle wird das Halbleitermaterial "dotiert". Damit ist das definierte Einbringen von chemischen Elementen gemeint, mit denen man entweder einen positiven Ladungsträgerüberschuß (p-leitende Halbleiterschicht) oder einen negativen Ladungsträgerüberschuß (n-leitende Halbleiterschicht) im Halbleitermaterial erzielen kann.
Werden zwei unterschiedlich dotierte Halbleiterschichten gebildet, entsteht an der Grenzschicht ein sogenannter p-n-Übergang.
An diesem Übergang baut sich ein inneres elektrisches Feld auf, das zu einer Ladungstrennung der bei Lichteinfall freigesetzten Ladungsträger führt. Über Metallkontakte kann eine elektrische Spannung abgegriffen werden. Wird der äußere Kreis geschlossen, das heißt ein elektrischer Verbraucher angeschlossen, fließt ein Gleichstrom.
Die klassische Silizium-Solarzelle besteht aus einer ca. 0,001 mm dicken n-Schicht, welche in das ca. 0,6 mm dicke p-leitende Si-Substrat eingebracht wurde. Den Übergang zwischen n-Schicht und p-Substrat nennt man p/n-Übergang oder einfach Grenzschicht. Bei der monokristallinen Siliziumsolarzelle wird die n-Schicht durch oberflächennahes Einbringen (dotieren) von ca. 1019 Phosphor-Atomen / cm³ in das p-leitende Si-Substrat erzeugt. Die n-Schicht ist so dünn, damit das Sonnenlicht besonders in der Raumladungszone am p/nÜbergang absorbiert wird. Das p-leitende Si-Substrat muss dick genug sein, um die tiefer eindringenden Sonnenstrahlen absorbieren zu können und um der Solarzelle mechanische Stabilität zu geben.
Aufbau der Grenzschicht
Durch Einbringen weniger 5-wertiger Phosphoratome in das 4-wertige Silizium wird dieses dotiert, d.h. es ist nach außen elektrisch neutral, aber das zusätzliche Valenzelektron (blau - gezeichnet) ist relativ frei beweglich. Durch Einbringen weniger 3-wertiger Boratome in das 4-wertige Silizium wird dieses p-dotiert, d.h. es ist nach außen elektrisch neutral, aber das für das 4.Valenzelektron aufgehobene positive Loch (rot - gezeichnet) ist relativ frei beweglich. An der Grenzschicht zwischen n- und p-Schicht diffundieren die Löcher in die n-Schicht und die Elektronen in die p-Schicht und es entsteht dadurch eine von freien Ladungsträgern verarmte Raumladungszone einer bestimmten Breite. Durch diese Verschiebung hat das n-Gebiet positive, das p-Gebiet negative Raumladung.
Solarzellen bestehen aus verschiedenen Halbleitermaterialien. Halbleiter sind Stoffe, die unter Zufuhr von Licht oder Wärme elektrisch leitfähig werden, während sie bei tiefen Temperaturen isolierend wirken.
Über 95 % aller auf der Welt produzierten Solarzellen bestehen aus dem Halbleitermaterial Silizium (Si). Silizium bietet den Vorteil, daß es als zweithäufigstes Element der Erdrinde in ausreichenden Mengen vorhanden und die Verarbeitung des Materials umweltverträglich ist.
Zur Herstellung einer Solarzelle wird das Halbleitermaterial "dotiert". Damit ist das definierte Einbringen von chemischen Elementen gemeint, mit denen man entweder einen positiven Ladungsträgerüberschuß (p-leitende Halbleiterschicht) oder einen negativen Ladungsträgerüberschuß (n-leitende Halbleiterschicht) im Halbleitermaterial erzielen kann.
Werden zwei unterschiedlich dotierte Halbleiterschichten gebildet, entsteht an der Grenzschicht ein sogenannter p-n-Übergang.
An diesem Übergang baut sich ein inneres elektrisches Feld auf, das zu einer Ladungstrennung der bei Lichteinfall freigesetzten Ladungsträger führt. Über Metallkontakte kann eine elektrische Spannung abgegriffen werden. Wird der äußere Kreis geschlossen, das heißt ein elektrischer Verbraucher angeschlossen, fließt ein Gleichstrom.
Die klassische Silizium-Solarzelle besteht aus einer ca. 0,001 mm dicken n-Schicht, welche in das ca. 0,6 mm dicke p-leitende Si-Substrat eingebracht wurde. Den Übergang zwischen n-Schicht und p-Substrat nennt man p/n-Übergang oder einfach Grenzschicht. Bei der monokristallinen Siliziumsolarzelle wird die n-Schicht durch oberflächennahes Einbringen (dotieren) von ca. 1019 Phosphor-Atomen / cm³ in das p-leitende Si-Substrat erzeugt. Die n-Schicht ist so dünn, damit das Sonnenlicht besonders in der Raumladungszone am p/nÜbergang absorbiert wird. Das p-leitende Si-Substrat muss dick genug sein, um die tiefer eindringenden Sonnenstrahlen absorbieren zu können und um der Solarzelle mechanische Stabilität zu geben.
Aufbau der Grenzschicht
Durch Einbringen weniger 5-wertiger Phosphoratome in das 4-wertige Silizium wird dieses dotiert, d.h. es ist nach außen elektrisch neutral, aber das zusätzliche Valenzelektron (blau - gezeichnet) ist relativ frei beweglich. Durch Einbringen weniger 3-wertiger Boratome in das 4-wertige Silizium wird dieses p-dotiert, d.h. es ist nach außen elektrisch neutral, aber das für das 4.Valenzelektron aufgehobene positive Loch (rot - gezeichnet) ist relativ frei beweglich. An der Grenzschicht zwischen n- und p-Schicht diffundieren die Löcher in die n-Schicht und die Elektronen in die p-Schicht und es entsteht dadurch eine von freien Ladungsträgern verarmte Raumladungszone einer bestimmten Breite. Durch diese Verschiebung hat das n-Gebiet positive, das p-Gebiet negative Raumladung.
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Clichy
October 2020 | 0 Replies
U2Welcher Satz passt hier nicht? Streich ihn durch.Które zdanie tutaj nie pasuje? Przekreśl je.Ich wohne in einem Wolkenkratzer.Ich wohne in einem Reihenhaus.Ich wohne in einem Einfamilienhaus.Ich wohne in Österreich.Ich wohne in einem Wohnblock.Ich wohne in einem Hochhaus.
user7521
October 2020 | 0 Replies
Uzupełnij: als lub wie,1. Die Sommerferien sind in diesem Jahr kürzer ............im vorigen.2. Meine Mutter und Tante Frieda sind Zwillingsschwestern. Meine Tantesagt manchmal, dass sie jünger ist..........meine Mutter. Zehn Minuten.3. Frank ist viel klüger ...........sein Bruder Axel.4. Martin ist fünf Jahre jünger ........... sein Bruder, aber genauso groß ........ er.5. In unserem Klassenzimmer ist es noch kälter .........in eurem.
kostkabrukowa999
October 2020 | 0 Replies
uzupełnij rozmowę . *wie heiB ___ du? amelie? ~~ neih ich heiB ___amanda. *wie alt ___du? 13? ~~ ja ich ___ 13 jahre alt . *wo wohn ___du? in Berlin? ~~ neih ich wohn___in potsdam. *wo lieg ___potsdam? ~~ das lieg___ bei Berlin. z góry to tyle jak ktoś odpowie to jest kozakiem i pomocy plis
Ponad 95% wszystkich produkowanych na świecie fotoogniw składa się z krzemu (Si) jako materiału półprzewodnikowego. Krzem ma tę przewagę, że jako drugi najczęściej występujący pierwiastek w skorupie ziemskiej dostępny jest w wystarczających ilościach i przetwarzanie go jako materiału nie jest szkodliwe dla otoczenia naturalnego. Do produkcji fotoogniwa materiał półprzewodnikowy jest "dopowany". Oznacza to zdefiniowane wprowadzanie pierwiastków chemicznych, poprzez które uzyskuje się dodatnią nadwyżkę nośników ładunku (warstwa półprzewodnikowa p) lub ujemną (warstwa półprzewodnikowa n). Jeśli utworzą się dwie różnie dopowane warstwy półprzewodnikowe, to w warstwie granicznej powstaje tzw. mostek p-n.
W tym mostku tworzy się wewnętrzne pole elektryczne, które prowadzi przy padającym świetle do separacji ładunków uwolnionych nośników elektrycznych. Poprzez metalowe styki może być wychwycone napięcie elektryczne. Jeżeli zewnętrzny obwód zostanie zamknięty, tzn. zostanie włączone urządzenie elektryczne, to zacznie płynąć prąd stały.
Klasyczne fotoogniwo krzemowe składa się z warstwy n o grubości ok. 0,001 mm, które zostało wprowadzone do substratu krzemowego p o grubości ok. 0,6 mm. Mostek między warstwą n i substraten p nazywa się mostkiem p/n lub po prostu warstwą graniczną. W przypadku monokrystalicznego fotoogniwa krzemowego warstwa n wytwarza się poprzez powierzchniowe dopowanie ok. 1019 atomów fosforu/cm³ substratu krzemowego p. Warstwa n jest taka cienka, aby światło słoneczne było pochłaniane szczególnie w strefie objętościowego ładunku na mostku p/n. Przewodzący substrat krzemowy musi być wystarczająco gruby, aby móc pochłaniać głębiej wchodzące promienie słoneczne i aby dawać fotoogniwu mechaniczną stabilność.
Tworzenie warstwy granicznej
Poprzez umieszczenie mniejszej ilości atomów fostoru o wartościowości 5 w krzemie o wartościowości 4 zostaje on dopowany, tzn. jest on na zewnątrz elektrycznie obojętny, ale dodatkowy elektron walencyjny (oznaczony na niebiesko) jest względnie swobodny. Poprzez wbudowanie mniejszej ilości atomów boru o wartościowości 3 w krzemie o wartościowości 4 jest on p-dopowany, tzn. jest on na zewnątrz elektrycznie obojętny, ale dziura po czwartym elektronie walencyjnym (oznaczona na czerwono) jest względnie swobodna. W warstwie granicznej między warstwami n i p dyfundują dziury do warstwy n a elektrony do warstwy p i poprzez to powstaje wywołana przez swobodne nośniki elektryczne strefa ładunku objętościowego o określonej szerokości. Przez to przesunięcie obszar n ma dodatni a obszar n ujemny ładunek przestrzenny.