taller de lectocomprension y traducción en inglés: error correction: A semiconductor memory system is subject to errors. These can be categorized as hard failures and soft errors. A hard failure is a permanent physical defect so that memory cell or cells affected reliably store data, but become stuck at or 1 or switch erratically between 0 and 1. Hard errors can be caused by harsh environmental abuse, manufacturing defects, and wear. A soft error is a random, non-destructive event that alters the contents of one or more memory cells, without damaging the memory. Soft errors can be caused by power supply problems or alpha particles. These particles result from radioactive decay and are distressingly common because radioactive nuclei are found in small quantities in nearly all materials. Both hard and soft errors are clearly undesirable, and most modern main memory systems include logic for both detecting and correcting errors. When data are to be read into memory, a calculation, depicted as a function f is performed on the data to produce a code. Both the code and the data are stored. When a previously stored word is read out, the code is used to detect and possibly correct errors. A new set of K code bits is generated from the M data bits and compared with the fetched code bits. The comparison yields one of three results: no errors are detected.The fetched data bits are sent out. An error is detected, and it is possible to correct it. the data bits plus error-correction bits are fed into a corrector, which produces a corrected set of M bits to be sent out. An error is detected, but it is not possible to correct it. this condition is reported. alguien que me lo pueda traducir en español se los voy a agradecer muchisimo, pero por favor me mandan y me ponen hierba hierba alguien que sea más responsable necesito esto urgente si no no los molesto
Traducción:
Correción de Errores: Un sistema de memoria de semiconductores está sujeto a errores. Estos se pueden clasificar como fallas graves y errores leves. Una falla grave es un defecto físico permanente, por lo que la celda de memoria o las celdas afectadas almacenan datos de manera confiable, pero se atascan en o 1 o cambian erráticamente entre 0 y 1. Los errores graves pueden ser causados por un severo abuso ambiental, defectos de fabricación y desgaste. Un error leve es un evento aleatorio no destructivo que altera el contenido de una o más celdas de memoria, sin dañar la memoria. Los errores de software pueden deberse a problemas de suministro de energía o partículas alfa. Estas partículas son el resultado de la desintegración radiactiva y son terriblemente comunes porque los núcleos radiactivos se encuentran en pequeñas cantidades en casi todos los materiales. Los errores tanto físicos como blandos son claramente indeseables, y la mayoría de los sistemas de memoria principal modernos incluyen lógica para detectar y corregir errores. Cuando los datos deben leerse en la memoria, se realiza un cálculo, representado como una función f, sobre los datos para producir un código. Se almacenan tanto el código como los datos. Cuando se lee una palabra almacenada previamente, el código se utiliza para detectar y posiblemente corregir errores. Se genera un nuevo conjunto de K bits de código a partir de los M bits de datos y se compara con los bits de código recuperados. La comparación arroja uno de tres resultados: no se detectan errores y se envían los bits de datos recuperados. Se detecta un error y es posible corregirlo. los bits de datos más los bits de corrección de errores se introducen en un corrector, que produce un conjunto corregido de M bits que se enviarán. Se detecta un error, pero no es posible corregirlo. se informa esta condición