Przerwa energetyczna w InAs wynosi 0,36 eV. Oblicz wzrost temperatury względem temperatury pokojowej (20 stopni C.), konieczny do zwiększenia przewodności właściwej InAs o (pełne rozwiązanie): a. 20% b. 50% c.100 %
Odpowiedzi to: a. 7,7 st.C b. 17,7 st. C c. 31,6 st. C
platon1984
Przewodność półprzewodnika można wyrazić za pomocą koncentracji nośników n jako:
q to ładunek, m masa nośników. W oczywisty sposób jedynym zmiennym z temperaturą parametrem jest koncentracja n:
zatem
jeśli przewodność zmienia się o p procent:
teraz wystarczy podstawić dane...
a)
b)
c)
oczywiście różnica w K jest taka sama jak w stopniach Celsjusza...
pozdrawiam
--------------- "non enim possumus quae vidimus et audivimus non loqui
q to ładunek, m masa nośników. W oczywisty sposób jedynym zmiennym z temperaturą parametrem jest koncentracja n:
zatem
jeśli przewodność zmienia się o p procent:
teraz wystarczy podstawić dane...
a)
b)
c)
oczywiście różnica w K jest taka sama jak w stopniach Celsjusza...
pozdrawiam
---------------
"non enim possumus quae vidimus et audivimus non loqui